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比现有快40%！美光256GB DDR5速度破9200MT/s ：功耗直降40%_蜘蛛资讯网

RAM工艺打造。1-gamma是美光第六代10nm级节点，也是其首次采用EUV光刻技术量产的DRAM制程，单片晶圆输出密度较前代提升超30%，16Gb DDR5芯片速度快15%、功耗降超20%。          封装方面，该内存采用3D堆叠与硅通孔互联技术，将多颗DRAM颗粒立体堆叠，有效提升了单条容量和信号传输效率

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发布时间：11:51:59